2003 Mar 25 2
NXP Semiconductors
Product data sheet
Low-leakage double diode BAV170
FEATURES
?
Plastic SMD package
?
Low leakage current: typ. 3
pA
?
Switching time: typ. 0.8
μs
?
Continuous reverse voltage:
max.
75
V
?
Repetitive peak reverse voltage:
max.
85
V
?
Repetitive peak forward current:
max. 500
mA.
APPLICATION
?
Low-leakage current applications in
surface mounted circuits.
DESCRIPTION
Epitaxial, medium-speed switching,
double diode in a small SOT23 plastic
SMD package. The diodes are in
common cathode configuration.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
anode
2
anode
3
common cathode
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, 4 columns
21
3
Top view
MAM108
21
3
MARKING
Note
1.
?
=
p
:
Made in Hong Kong.
?
=
t
:
Made in Malaysia.
?
=
W
:
Made in China.
TYPE NUMBER
MARKING
CODE(1)
BAV170
JX*
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